• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


玻璃旋涂材料


玻璃旋涂材料
涂层材料
IC1-200
DC4-500
厚度
0.17µm - 0.50µm
0.45µm - 1.0µm

  • 应用
    • 平整的涂层可以作为多级金属工艺中的电介质部分
    • 保护用涂层材料
    • 作为三层光刻胶工艺中的间隔材料
  • 特性
    • 可适用于旋涂工艺
    • 常温下保存3年
    • 与聚合物有很好的黏附性
    • 在温度低于100度(℃)时难溶于共有溶剂
    • 适用于有代表性的光刻胶涂布设备,不需要SOG涂布机
  • 对生产率的影响
    • 在一些应用中可省去CVD制程中的SiO2
    • 在多级金属制程中省去SiO2蚀刻后的填充时间
    • 在薄膜磁头制程中省去衬底的抛光