• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


光电子学/光子学

很久以来,Futurrex一直为通信及光电子元件的设计及制造提供服务。

在折射导波管、折射滤光器、显微透镜、垂直腔发射激光器(VCSEL)及二极管领域,Futurrex的解决方案均能为客户提供独特的加工能力,使他们能够以较低的成本生产面向下一代应用的元件。我们的解决方案使客户能在生产产品时,可选择多种工艺,多种设备,多种衬底。

以下系列产品既适合新型创业公司,也适合那些成熟的制造企业。

  • NR71/9-PY系列 负性光刻胶,适用于那些具有高粘附性,高产量,高温要求的lift-off 工艺。
  • NR71-P-系列 光刻胶,适用于具有高选择性,耐高温要求的离子蚀刻。
  • PR1-系列 正性光刻胶,适用于图像转换及蚀刻。
  • NR9-P系列 负性光刻胶,具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。
  • NR2-P系列 负性光刻胶,适用于高分辨率,膜厚大于100μm的工艺。
  • RD6系列 光刻胶显影液,可用于正负型光刻胶且显影速度快。
  • RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜、钛、TiW、金、铂、铝、镍、银合金等所有传统金属100%相容。