去胶液
| 去胶液 | |
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碱性去胶液 RR3 脂类去胶液 RR5 |
二甲基亚砜去胶液 RR4 RR41 |
- 应用
- 去除光刻胶
- 特性
- 液体
- 对生产率的影响
- 减少去胶时间
- 达到国际环保标准
| 溶剂型去胶液: | |
| 应用: | 溶剂型去胶液适用于电子或光电器件制造领域的金属和氧化物的材料上，其在工业应用方面属于低危险性去胶液。 |
| 碱性去胶液: | |
| 应用: | 碱性显影液可应用于白金、黄金及铜材料. |
- 删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
- 添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作
以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P
- 应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶
Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线
- 应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）
Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.