删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P

应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm2².
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线

应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.

用于lift-off的负性光刻胶

用于lift-off的负性光刻胶

耐高温型光刻胶
光刻胶 NR77-1000PY NR77-1500PY NR77-3000PY NR77-6000PY	厚度 0.7µm - 2.1µm 1.1µm - 3.1µm 2.1µm - 6.3µm 5.0µm - 12.2µm
在180度（℃）时， NR-PY型负性光刻胶通过曝光能量，易于控制侧壁的角度；在小于120度（℃）的制程中，NR1 和 NR7系列光刻胶易于在25度（℃）去胶

良好粘附性光刻胶
光刻胶 NR9-1000PY NR9-1500PY NR9-3000PY NR9-6000PY NR9-8000	厚度 0.7µm - 2.1µm 1.1µm - 3.1µm 2.1µm - 6.3µm 5.0µm - 12.2µm 6.0µm - 25.0µm
在100度（℃）时， NR9系列光刻胶有很好的粘附性，且易于在25度（℃）去胶.

应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）
特性
- 在显影过程中形成底切
- 厚度范围: 0.7 - 25.0 µm
- 通过曝光能量易于控制侧壁的角度
- 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
对生产率的影响
- 省去了金属和电介质图案的干法刻蚀
- 省去了双层胶

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.