• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


太阳能光伏

Futurrex为开发太阳能技术的企业提供的解决方案不仅独特而又能降低制造成本。我们的新产品采用成熟的湿法工艺,应用这些技术能改善太阳能产品的光通率和转换效率,并且在大批量生产是还可以降低成本。

在晶硅和非晶硅领域,Futurrex采用旋涂掺杂层,并伴以低成本的湿法工艺以取代昂贵的离子注入工艺。

我们同时提供基于磷和硼的掺杂方案,使客户能够以最小的成本利用现有的技术加快产品开发周期,使太阳能发电成本更快的接近普通发电设备。

这样的产品有:

十年来,Futurrex一直为生产III/V族太阳能产品的客户供货,客户包括私营公司和政府机构。对于III/V族光伏应用,我们提供以下产品系列:

对于较新的应刷薄膜技术(碲化镉,铜铟镓硒),Futurrex提供以下产品,这些产品可与物理气相沉积技术或卷到卷沉积技术结合使用: