• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


模拟半导体

过去20年来,Futurrex专注于构建先进的产品系列,包括模拟半导体制造的每一个领域,在g、h和i-线市场占有优势地位。我们的客户遍及亚洲ODM厂一直到美国本土。我们的全线产品作为核心材料,用于生产微波集成电路,功(放),被动元件及基于新型衬底的下一代射频收发器。与此同时,我们的产品推陈出新为满足客户苛刻的需求提供完整创新型解决方案。无论客户是需要与众不同的性能还是仅仅为了降低成本,Futurrex都能够提出解决方案,甚至满足客户最特殊的要求。

其他化学品供应商只是专注于提供通用解决方案。但在不断增长的需求领域,性能和产品的差异化越来越重要,在这方面Futurrex是理想的供应商。我们可以根据客户的具体要求提供一个交钥匙式的解决方案,或者为客户设计一个定制的解决方案,这一点在同行业内没有竞争者可以与我们匹敌。我们的化学品具有特殊的物理特性,而且我们能根据客户的要求为客户开发新产品,这两方面的因素使Futurrex产品线成为全球模拟半导体制造领域的标志:

  • NR9-PY 系列负性光刻胶,适用于lift-off工艺;具有高效粘附性,高反应速度并耐高温性能好。
  • NR71-PY 系列 负性光刻胶,适用于lift-off工艺,耐高温性能好并可作永久隔层。
  • NR9-P 系列 负性光刻胶,具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。
  • NR71-P 系列 负性光刻胶,用于干法蚀刻中掩模应用并能作为永久隔层。
  • NR21-P 系列 负性光刻胶,用于厚度超过100μm并具有极高的分辨率。
  • NR5 系列 NR5-系列负性光刻胶,用于深度离子蚀刻(RIE)中的厚膜掩膜工艺。
  • PR1 系列 正性光刻胶,用于光刻,蚀刻和高温制程。
  • IC1/DC5 系列 作为电介质和滤波应用的旋涂材料
  • PC4 系列 产品可用于平坦化,临时行粘接层和保护涂层。
  • BDC1/PDC1/ZPDC1 系列 产品可作为高效参杂层,代替昂贵的CVD参杂工序。
  • RD6系列 光刻胶显影液,可用于正负型光刻胶且显影速度快。
  • RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜、钛、TiW、金、铂、铝、镍、银合金等所有传统金属100%相容。
  • EBR2 系列 产品为高效的边胶清洗液。

请按您的工艺要求在 此处 填表,以便我们为您提供一个定制的解决方案。