• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


封装

在后端加工领域,Futurrex有几个产品系列可以提高封装加工的生产率。
以下产品应用于凸点制作、倒装芯片包(封)装、3D集成和硅通孔(TSV)解决方案:

  • NR2-P系列 负性光刻胶,适用于凸点制作,膜厚>100μm,分辨率高易去除。
  • NR5-系列 负性光刻胶,在深度离子蚀刻(RIE)和硅通孔(TSV)应用中可作为厚膜。
  • PR1-系列 正性光刻胶,可作为凸点制作,一般性图形转换和蚀刻应用。
  • RD6系列 光刻胶显影液,可用于正负型光刻胶且显影速度快。
  • RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜、钛、TiW、金、铂、铝、镍、银合金等所有传统金属100%相容。
  • EBR2系列 产品为高效的边胶清洗液。