负性光刻胶
| 负性光刻胶: | |
| 抗蚀刻负性光刻胶 | |
| 厚度范围: | 0.5 - 200 微米 |
| Performance: |
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| 应用: |
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| 厚胶 | |
| 厚度范围: | 8 - 200 微米 |
| 特性: |
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| 应用: |
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| Lift-off用光刻胶 | |
| 厚度范围: | 0.5 - 40 微米 |
| 特性: |
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| 应用: |
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- 删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
- 添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作
以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P
- 应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶
Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线
- 应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）
Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.