• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


微流体&生物芯片

Futurrex为从事医疗设备、基因测试、微通道制冷和传感器产品生产的公司提供解决方案。这些公司需要以低成本加工技术为大规模流体扩散和抽样操作创建微通道。

使用我们的解决方案,客户可以通过添加、删减或浮雕技术创建微通道。

OEM厂商在制造生物芯片、诊断、传感器、和微制冷产品时可用Futurrex 多种产品来满足他们的工艺需求:

  • NR71-P系列 负性光刻胶,用于干法蚀刻中掩模应用,适用于玻璃,塑料及其他多种衬底。
  • NR2-系列 负性光刻胶,适用于高纵横比要求的电镀工艺。
  • NR5-系列 负性光刻胶,用于微通道浮雕。
  • RD6系列 光刻胶显影液,可用于正负型光刻胶且显影速度快。
  • RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜、钛、TiW、金、铂、铝、镍、银合金等所有传统金属100%相容。