• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


产品

Futurrex1985年投产了第一条产品线,包括高性能的正性光刻胶。其核心产品为生产出可以用来替代常规正性光刻胶的负性光刻胶,可用于g,h和i线的微细加工。

自从投产之后的20年里,Futurrex已经扩展了其产品类别并且持续的开发出核心的产品套件,这些核心产品在多个的行业内展现了很高的性能及工艺效力,并成功地为广大终端用户降低单位成本。

当常规的解决方法不能解决问题时,Futurrex同样也可以根据客户的需求来为客户开发新的产品

请提出您的要求,看看Futurrex可以为您提供什么样的交钥匙解决方案。