• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


微机电系统

在过去十年中,微机电系统(MEMS)市场一直是Futurrex的销售核心之一。采用微加工技术生产的产品数量以及这些产品所集成的管脚数量都在不断增长。Futurrex提供的具有非凡特性的新型产品,能够帮助OEM厂商制造出不同于常规性能的终端产品。

使用Futurrex提供的解决方案,工程技术人员能够快速设计并制造出能实现非凡纵横比的设备(厚度>120微米时,纵横比> 6:1),以全面满足一些MEMS深沟槽及独特图形的应用。最后,我们所有的产品都易于去除或剥离,也可以作为任何结构的永久部分留下。

如此产品及相关的工艺技术 就了设备的独特性能及高产量.

我们在为多种应用提供产品方面富有经验,包括半导体测试设备、感应线圈和非常成熟并在市场上得到广泛使用的射频相关装置

下面是Futurrex产品系列的一个列表,可以满足客户生产设备的需求:

  • NR9-P-系列 用于填平沟槽及在深槽上建桥从而实现理想的介电性能。
  • NR5/71-系列 适用于各种衬底上的高能量深度离子蚀刻,膜厚范围10-100+μm。
  • NR2-系列 膜厚大于120μm,粘附性强,适用于电镀,湿法蚀刻,纵横比大于6:1时易于剥离。
  • NR71/9-PY-系列 光刻胶,用于lift-off工艺。
  • PC4-系列 适用于临时粘接层。平坦化及保护涂层。
  • IC1-系列 用于高温lift-off工艺,保护及滤波应用。