删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P

应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm2².
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线

应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.

正性光刻胶

正性光刻胶
光刻胶型号 PR1-1000A1 PR1-2000A1 PR1-4000A1 PR1-12000A1	厚度 0.7μm - 2.1μm 1.4μm - 4.2μm 2.8μm - 15.0μm 11.8μm - 24.5μm
耐温性能< 130°C

应用
- 正性光刻胶的粘附性良好，可用于干法刻蚀/湿法刻蚀/电镀/离子注入.

正性光刻胶PR1-4000A1的典型侧壁轮廓
厚度 = 10μm

正性光刻胶用显影液（用于正性光刻胶的水性显影液）:
常用光刻胶
厚度范围:	0.7 - 3 微米
性能:	无需使用增粘剂有效抑制反射凹痕消除光敏剂升华，防止烘培中堵塞排气管路良好的分辨率 . 曝光时间短 . 显影时间短. 良好的耐温性 . 易于用RR4去胶液去除 . 常温下可储存1年 .
应用 :	蚀刻，离子注入，金属电镀工艺制造: 集成度路微系统平板显示高密度封装

厚膜光刻胶
厚度范围:	3 - 25 微米
性能:	良好的分辨率 . 光刻速度快，有利于提高曝光效率. 显影时间短. 在离子刻蚀制程中有良好的选择性 . 易于用RR4去胶液去除. 常温下可储存1年.
应用:	金属电镀，离子注入工艺制造集成电路微系统平板显示高密度封装