删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P

应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm2².
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线

应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.

平坦化涂层

PC43涂层材料
涂层材料 PC43-700 PC43-1500 PC43-6000	厚度 0.6µm - 1.6µm 1.1µm - 3.2µm 5.0µm - 12.2µm

应用
- 平坦化涂层
  - 作为电介质用于凹蚀制程的平坦化
- 机械保护涂层材料
  - 在切割制程中用于关键部件的保护
- 临时的粘结层
  - 作为临时的粘结材料用于后道的研磨及背面处理，且容易去除
特性
- 极好的平坦化性能
- 适用于光刻胶涂布机
对生产率的影响
- 在一些方面省去了化学机械抛光
- 抑制凹蚀制程中的微型加载效应
- 消除了切割制程中薄膜的剥离和破裂
- 晶圆研磨和切割后易于在RD3 和RD6显影液中去除

先进的平坦化技术用于光刻图案及凹蚀制程.