• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


发光二极管

在过去的十年里,Futurrex已向全球大多数LED和HLED的顶级制造商供应功能性化学产品,使客户造出有竞争力的产品并且在不断降低单位成本的情况下能使客户生产的产品具有差异化的性能。Futurrex不仅提供新颖的化学品和工艺,而且这些产品套件可以真正为客户提供从前处理到包装的交钥匙式解决方案。

客户在生产尖端的LED和HLED产品时,可以选择以下任何Futurrex产品线:

  • NR9-PY 系列 负性光刻胶,适用于lift-off工艺
  • NR71-P系列 负性光刻胶,用于干法蚀刻中掩模应用
  • IC1-系列 用于平滑介质涂层并可以直接掺入磷光粉。
  • RD6系列 光刻胶显影液,可用于正负型光刻胶且显影速度快。
  • RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜、钛、TiW、金、铂、铝、镍、银合金等所有传统金属100%相容。
  • EBR2系列 产品为高效的边胶清洗液。

Futurrex也促进有机发光二极管(OLED)的制造及知识产权的获取: