• 删减&模型应用
    • 硅的深度刻蚀,类如博施工艺,玻璃及聚合体
    • 硅的浮雕模型
  • 添加应用
    • 用于倒转芯片封装,多芯片组件,微系统,感光芯片,薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀,去胶后的铜线圈.
金属(铜)厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P


  • 应用
    • 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比:4.5:1
光刻胶分辨率实例
膜厚:54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm22.
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线


  • 应用
    • 无需使用增粘剂,采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
    • 可作为器件的永久部件(比如隔离层)

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.


光刻胶显影液


光刻胶显影液
适用于金属的碱性显影液 RD3
RD3
有机显影液(TMAH)RD6
RD6

  • 应用
    • 显影出抗蚀图案
    • 去除PC4系列的暂时黏附,保护,及平坦化的材料
  • 特性
    • 水性溶液
  • 对生产率的影响
    • 单个显影液可用于正性光刻胶和负性光刻胶
    • 溶剂在去除PC4系列膜层是消除 (消除被去除的PC4系列膜层中的溶剂)
    • 符合国际的环境标准

金属离子型显影液:
金属离子型显影液能够适用于正性光刻胶及负性光刻胶.

适用于金属的碱性显影液:
用于金属的碱性显影液适用于正性光刻胶.