删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺，玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
添加应用
- 用于倒转芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作

以NR26-12000P做掩模电镀，去胶后的铜线圈.
金属（铜）厚度 = 25µm
光刻胶= Futurrex NR26-12000P

应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶

Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm2².
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线

应用
- 无需使用增粘剂，采用单层lift-off工艺实现金属和电介质图案的制作
- 可作为器件的永久部件（比如隔离层）

Futurrex NR1-3000PY
负性光刻胶lift-off工艺侧壁
NR1-3000PY.
光刻胶厚度= 3µm.

刻蚀用负性光刻胶

刻蚀用负性光刻胶

离子刻蚀光刻胶耐高温
光刻胶型号 NR7-250P NR7-1000P NR7-1500P NR7-3000P NR7-6000P NR5-8000	厚度范围 0.2µm - 0.6µm 0.7µm - 2.1µm 1.1µm - 3.1µm 2.1µm - 6.3µm 5.0µm - 12.2µm 5.8µm - 100µm
耐温150度（℃）. 光刻胶在离子刻蚀方面有很好的选择性，在一些条件下优于常用的正胶25%~30%. 对于小于120度（℃）的制程，NR5和NR71可在25度（℃）去胶.

湿法刻蚀光刻胶粘附性好
光刻胶型号 NR9-250P NR9-1000P NR9-1500P NR9-3000P NR9-6000P NR9-8000	厚度范围 0.2µm - 0.6µm 0.7µm - 2.1µm 1.1µm - 3.1µm 2.1µm - 6.3µm 5.0µm - 12.2µm 6.0µm - 100.0µm
温度在100度（℃）时， NR9系列光刻胶有很好的粘附性，且易于在25度（℃）去胶.

应用
- 能够在离子刻蚀和湿法刻蚀中替代正性光刻胶
特性
- 厚度范围: <0.1 - 120.0 µm
- 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
优势
- 良好的线宽控制
- 侧背的垂直度不随膜厚而变
- 单次旋涂可达到100微米膜厚
- 采用150度烘烤，节省了烘培时间（取决于膜后）
- 良好的光刻速度，提高了曝光效率
- 增加功率密度，促进了离子刻蚀效率
- 无需使用增粘剂

Futurrex NR5-8000,纵横比：4.5：1
光刻胶分辨率实例
膜厚：54µm
掩模尺寸: 12µm
曝光能量: 1100 mJ/cm2².
聚焦补偿: -15µm.
曝光设备: Ultratech Stepper Saturn
模型, i线